AM4930N-T1-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管
2024-11-29
### 一、AM4930N-T1-VB 产品简介
AM4930N-T1-VB 是一款双 N+N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装。它具有优秀的电性能和高度集成的特点，适合于需要高效能量转换和电流控制的电子应用。采用先进的沟槽技术，确保了低导通电阻和稳定的性能表现。
### 二、AM4930N-T1-VB 详细参数说明
- **封装类型**: SOP8
- **通道配置**: 双 N+N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 26mΩ @ VGS = 4.5V
- 22mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**: 6.8A (正通道), 6.0A (负通道)
- **技术**: 沟槽技术
### 三、AM4930N-T1-VB 的应用领域和模块
AM4930N-T1-VB 由于其双 N+N 沟道设计和高性能特性，适用于多种领域和模块：
1. **电源管理**: 在开关电源和 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可以提供高效能量转换和稳定的电源输出，适合于便携设备、电视、监视器等应用，以及电池管理系统中的电流控制。
2. **电动工具和电动汽车**: 在电动工具和电动汽车的电池管理和驱动系统中，AM4930N-T1-VB 可以实现电池充放电控制、电机驱动和高效能量转换，提高系统的效率和可靠性。
3. **工业控制**: 在工业自动化领域，该器件用于高频开关和电流控制，例如在机器人控制、PLC（可编程逻辑控制器）和自动化设备中，确保稳定和高效的操作。
综上所述，AM4930N-T1-VB 是一款功能强大且适用性广泛的 MOSFET，适合于要求高性能和可靠性的电子系统设计。
