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BSO200N03S-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-09
### 产品简介
**BSO200N03S-VB** 是一款高性能单 N-Channel MOSFET，封装形式为 SOP8。该 MOSFET 采用 Trench 技术，具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，设计用于高效的开关和电源管理应用。它能够在相对较低的栅源电压下提供优异的开关性能和功率处理能力。
### 详细参数说明
- **封装**: SOP8
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (V_DS)**: 30V
- **栅源电压 (V_GS)**: ±20V
- **阈值电压 (V_th)**: 1.7V
- **导通电阻 (R_DS(on))**:
- 29mΩ @ V_GS = 4.5V
- 16mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏电流 (I_D)**: 6.8A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
1. **开关电源**: BSO200N03S-VB 适用于开关电源中作为主要开关元件，能够在高效和低功耗条件下稳定工作，提高系统整体效率。
2. **电源管理**: 在电源管理系统中，此 MOSFET 能够有效调节电流，适用于电池管理、电源调节和功率分配模块，提升系统的稳定性和效率。
3. **电机驱动**: 适合在电机控制电路中使用，能够处理中等电流负载，确保电机驱动的稳定性和高效性。
4. **消费电子**: 用于各种消费电子产品中，如计算机主板和家用电器，作为开关元件帮助提升设备的性能和可靠性。
