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NTD5865NL-1G-VB一款N沟道TO251封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号： NTD5865NL-1G-VB
丝印： VBFB1615
品牌： VBsemi
参数：
- 类型： N沟道
- 额定电压： 60V
- 额定电流： 50A
- 开通电阻： 10mΩ@10V, 12mΩ@4.5V, 20Vgs(±V)
- 门电压阈值： 1.94Vth(V)
- 封装类型： TO251
应用简介:
NTD5865NL-1G-VB是一款N沟道MOSFET，具有60V的额定电压和50A的额定电流。它的开通电阻在不同电压下具有较低的值，分别为10mΩ@10V和12mΩ@4.5V。此外，它的门电压阈值为1.94V，适用于各种门电压驱动电路。
该产品可以应用于以下领域模块：
1. 电源供应模块：由于NTD5865NL-1G-VB具有较高的额定电压和额定电流，它可以用于电源供应模块，如电源适配器和开关电源等。
2. 电动车辆模块：由于NTD5865NL-1G-VB能够承受较高的电流，可以在电动车辆的驱动模块中使用，如电动汽车和电动自行车等。
3. 工业控制模块：NTD5865NL-1G-VB在工业控制领域中具有广泛的应用，可用于电机驱动、过载保护和开关控制等模块。
4. 照明模块：由于该产品具有较高的额定电压，可用于照明模块，如LED驱动器和室内照明灯等。
总之，NTD5865NL-1G-VB适用于需要处理较高电压和电流的领域模块，如电源供应、电动车辆、工业控制和照明等。
