BSZ440N10NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### BSZ440N10NS3 G-VB 产品简介
**产品简介：**
BSZ440N10NS3 G-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，封装为DFN8 (3x3)，具有出色的电气特性。其最大漏极电压（VDS）为100V，栅极电压（VGS）可达±20V，阈值电压（Vth）为1.8V。该MOSFET在栅极电压为10V时的导通电阻（RDS(ON)）为36mΩ，具有良好的导通性能和低热阻。最大连续漏极电流（ID）为21A，采用先进的沟槽技术（Trench）制造，确保了高效的电流控制和可靠性。
### BSZ440N10NS3 G-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 |
|----------------|----------------------------|
| **封装类型** | DFN8 (3x3) |
| **配置** | 单N沟道 |
| **最大漏极电压（VDS）** | 100V |
| **最大栅极电压（VGS）** | ±20V |
| **阈值电压（Vth）** | 1.8V |
| **导通电阻（RDS(ON)）** | 36mΩ @ VGS=10V |
| **最大连续漏极电流（ID）** | 21A |
| **技术** | 沟槽（Trench） |
### BSZ440N10NS3 G-VB 适用领域和模块
**电源管理系统：** BSZ440N10NS3 G-VB 在电源管理系统中表现出色，例如在高压DC-DC转换器和开关电源中。其高漏极电压和较低的导通电阻使其能够处理较高电压和大电流，同时保持高效率和低热量生成。
**电机驱动：** 在电机驱动应用中，例如电动工具和工业电机控制，BSZ440N10NS3 G-VB 能够提供稳定的电流控制和高效的开关性能。其高电压和电流处理能力使其能够驱动各种电机，提供可靠的性能。
**汽车电子：** 在汽车电子应用中，例如电源管理模块和车身控制系统，这款MOSFET能够满足高电压和高电流的要求。其高可靠性和稳定性使其在汽车系统中表现优异，适应严苛的工作环境。
**功率转换：** 在功率转换模块，如高功率LED驱动器和高压电源中，BSZ440N10NS3 G-VB 的高漏极电压和低导通电阻使其能够高效地转换功率，提供稳定的性能和较低的能量损耗。
**工业控制：** 在工业控制系统中，例如电力开关和负载管理，BSZ440N10NS3 G-VB 能够处理高电压负载并提供稳定的控制。其高电流能力和低导通电阻使其在工业应用中能够实现高效能量传递和控制。
总之，BSZ440N10NS3 G-VB 是一款具有高电压处理能力、低导通电阻和高电流承载能力的MOSFET，适用于电源管理、电机驱动、汽车电子、功率转换和工业控制等多个领域，能够满足各种高性能需求。
