AM3940N-T1-PF-VB一种Dual-N+N沟道SOT23-6封装MOS管
2024-11-28
### 产品简介详述：AM3940N-T1-PF-VB
**型号：** AM3940N-T1-PF-VB
**封装：** SOT23-6
**结构：** 双N+N沟道
**漏极-源极电压（VDS）：** 40V
**栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
**阈值电压（Vth）：** 1.8V
**导通电阻（RDS(ON)）：** 72mΩ @ VGS=4.5V, 58mΩ @ VGS=10V
**漏极电流（ID）：** 3.6A
**技术：** Trench（沟槽型）
### 详细参数说明：
1. **电气特性：**
- **静态参数：**
- 漏极-源极电压（VDS）：40V
- 栅极-源极电压（VGS）：±20V
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：
- 72mΩ @ VGS=4.5V
- 58mΩ @ VGS=10V
- 最大漏极电流（ID）：3.6A
2. **封装和配置：**
- 封装形式：SOT23-6
- 结构类型：双N+N沟道
3. **技术特性：**
- 采用沟槽型MOSFET技术
### 应用示例：
AM3940N-T1-PF-VB适用于以下领域和模块的示例包括：
- **电源管理：** 在各种电源管理系统中作为开关元件，如DC-DC转换器和AC-DC逆变器。
- **汽车电子：** 用于汽车电子系统中的电池管理、电动汽车的电机驱动和车辆动力控制。
- **工业自动化：** 在工业控制系统中用于高电压和高电流的开关和调节。
- **便携式设备：** 适合于便携式电子设备中的功率管理和电池保护，如智能手机、平板电脑和便携式工具。
这些示例展示了AM3940N-T1-PF-VB在多种需要高电压、高功率和可靠性的应用中的潜在应用价值。
