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AP9972AGR-HF-VB一种Single-N沟道TO262封装MOS管
2024-12-23
### 1. 产品简介
AP9972AGR-HF-VB 是一款单 N-Channel 沟道场效应管（Single-N-Channel MOSFET），采用沟道技术。具有60V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的门极-源极电压（VGS）（±V），阈值电压（Vth）为3.5V，具有低导通电阻和高电流承载能力，适合高功率应用场合。
### 2. 详细参数说明
- **包装类型（Package）**: TO262
- **配置（Configuration）**: 单 N-Channel
- **最大漏极-源极电压（VDS）**: 60V
- **门极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON))**:
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 210A
- **技术特点**: Trench（沟道技术）
### 3. 应用示例
AP9972AGR-HF-VB 在以下领域和模块中具有广泛的应用：
- **电动车辆**：适用于电动汽车和混合动力车辆的电动驱动系统，包括电机控制和电池管理系统中的功率开关。
- **工业电源**：用于工业设备的高功率逆变器、电动工具和电动机的功率调节和控制。
- **电力电子**：在电力转换和分布系统中，用于高效率的电源开关和电能管理。
- **航空航天**：在航空航天应用中，可用于电动推进系统和飞行控制系统的高功率电源管理和电流控制。
这些示例显示了 AP9972AGR-HF-VB 在需要处理高电压、大电流和高功率的复杂电子系统中的重要应用价值和技术优势。
