AP9469GJ-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-21
### AP9469GJ-VB MOSFET 产品简介
AP9469GJ-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有高电流承载能力和低导通电阻。其封装为 TO251，适合在各种功率电子应用中进行高效能量转换和电路控制。
### AP9469GJ-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO251
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：40V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 13mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：55A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
AP9469GJ-VB 适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：由于其低导通电阻和高电流能力，适合用于电源开关、稳压器和电池管理系统中，提高功率转换效率，减少能量损耗。
2. **电动工具**：在电动工具的电机驱动和控制电路中，该器件能够提供高效的功率开关和精确的电流控制，增强工具的性能和寿命。
3. **服务器和数据中心设备**：在服务器和数据中心设备的电源管理模块中，AP9469GJ-VB 可以提供高效的电力转换和稳定的电压输出，确保设备的稳定性和可靠性。
4. **电动汽车充电器**：在电动汽车充电设备中，该 MOSFET 可以用于高功率转换和电能管理，提高充电效率和系统的安全性。
5. **工业自动化**：在工业自动化设备和机械控制系统中，AP9469GJ-VB 可以提供可靠的电力开关和电流调节功能，确保设备在高负载和恶劣环境下的稳定运行。
通过以上应用示例，可以看出 AP9469GJ-VB MOSFET 在多种领域和模块中都具有广泛的应用潜力，为现代电子产品提供了高效和可靠的功率管理解决方案。
