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深圳市微碧半导体有限公司

主营产品 : 低压MOS管 | 中高压MOS管 | 中低压MOS管 | N沟道MOS管 | P沟道MOS管 | NP沟道MOS管 | 双N沟道MOS管 | 双P沟道MOS管
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FDD8424H-VB一款N+P沟道TO252-5封装MOSFET应用分析

2024-02-21

FDD8424H.pdf

丝印: VBE5415 品牌:VBsemi 

型号: FDD8424H-VB 

参数: 

- 沟道类型:N+P沟道

- 最大电压:±40V

- 最大电流:50A/ -50A

- 开通电阻:15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V

- 门源电压范围:±20Vgs 

- 阈值电压:±1Vth

- 封装方式:TO252-5


详细参数说明:

1. 沟道类型为N+P沟道,表示该器件拥有N型和P型沟道,可以实现双极性功率开关。

2. 最大电压为±40V,即能够承受正负40伏的电压。

3. 最大电流为50A/ -50A,表示可通过的最大电流为50安培,同时能够承受的最大负载电流为-50安培。

4. 开通电阻是指在给定电压下,沟道完全打开时的电阻值。在本产品中,开通电阻为15mΩ @10V和18.75mΩ @4.5V,表示在10伏和4.5伏的电压下,沟道完全打开时的电阻分别为15毫欧和18.75毫欧。

5. 门源电压范围为±20Vgs,表示器件的门源电压范围为±20伏。门源电压是控制沟道开通的电压。

6. 阈值电压为±1Vth,表示器件的阈值电压范围为±1伏。阈值电压是控制开关器件是否打开或关闭的电压。

7. 封装方式为TO252-5,这是一种针脚数量为5的封装形式。

VBE5415.png

应用简介:

该型号的VBsemi FDD8424H-VB可用于以下领域模块:

1. 电源模块:由于FDD8424H-VB具有较大的电流和电压承受能力,可用于电源模块中,用于控制电流和电压输出。

2. 马达控制模块:该器件可用于马达控制模块中,控制马达的运转和速度。

3. 电机驱动模块:可用于各种电机驱动模块中,用于控制电机的转速和方向。

4. 电器控制模块:由于该器件具备较大的电流和电压承受能力,可用于各种电器控制模块,如灯光控制模块、家电控制模块等。


总之,FDD8424H-VB是一款具有N+P沟道、高电压、大电流、低开通电阻的场效应管,适用于电源模块、马达控制模块、电机驱动模块和电器控制模块等领域模块中。