公司动态详情返回动态列表>
B416L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
**B416L-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件使用沟槽工艺，具备极低的导通电阻和高电流处理能力，适合用于高功率和高效率的电子应用场景。
### 参数说明
- **封装**：TO263
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 2.3mΩ @ VGS = 10V
- 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**：150A
- **技术**：沟槽工艺
### 适用领域和模块示例
1. **高功率电源开关**：B416L-VB 的低导通电阻和高电流能力使其适合用于高功率电源开关，能够有效提高开关效率，减少功耗和发热，适用于各种电源管理模块。
2. **DC-DC 转换器**：在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻有助于提高转换效率，减少功耗，适合高效能电源系统。
3. **电动汽车**：适用于电动汽车的电池管理系统和电机控制模块，处理高电流负载，提升系统的可靠性和性能。
4. **工业电力开关**：在工业控制系统中，B416L-VB 可用作高电流开关组件，提供稳定的电流控制，提高系统的整体效率和耐用性。
