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SSC8035GS6-VB一款P沟道SOT23封装MOSFET应用分析
2024-01-10
型号： SSC8035GS6-VB
丝印： VB2355
品牌： VBsemi
详细参数说明：
- P沟道
- 最大耐压：-30V
- 最大漏极电流：-5.6A
- 漏极-源极电阻：47mΩ @ 10V、56mΩ @ 4.5V
- 最大栅极源极电压：±20V
- 阈值电压：-1V
- 封装：SOT23
应用简介：
该产品是一款P沟道MOSFET，适用于各种领域的电子设备模块。其主要特点是低漏极-源极电阻和高耐压能力。通过控制栅极电压，能实现漏极-源极之间的导通开关。可用于功率放大、电流控制和开关驱动等应用场景。
该产品适用于以下领域模块：
1. 电源模块：用于电源管理、电压调节、稳压等电源系统的搭建；
2. 电动工具模块：用于电动工具的电源开关、电流控制等；
3. 汽车电子模块：用于汽车电子系统的开关驱动、电路保护等；
4. 通信模块：用于通信设备的功率放大、信号开关等；
5. 工控模块：用于工业控制系统中的电流控制和开关驱动等。
总之，SSC8035GS6-VB是一款适用于多个领域模块的P沟道MOSFET，具有低电阻、高耐压等特点，广泛应用于电源、电动工具、汽车电子、通信和工控等领域。
