AM4990NE-T1-PF-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管
2024-11-29
### 一、AM4990NE-T1-PF-VB 产品简介
AM4990NE-T1-PF-VB是一款高压双N+N-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOP8封装。它具有适用于高电压应用的设计和优异的导通特性，采用了先进的Trench技术，能够在较低的栅源驱动电压下实现低导通电阻和高效能。
### 二、AM4990NE-T1-PF-VB 详细参数说明
- **封装类型**：SOP8
- **配置**：双N+N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：63mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：5.8A
- **技术类型**：Trench
### 三、适用领域和模块举例
AM4990NE-T1-PF-VB MOSFET适用于多种领域和模块，具体应用包括：
1. **电源逆变器**：由于其高漏源电压和低导通电阻特性，AM4990NE-T1-PF-VB适合用于高压电源逆变器中，如工业和太阳能逆变器。它可以帮助提高能量转换效率和系统稳定性。
2. **电动汽车充电器**：在电动汽车充电管理系统中，AM4990NE-T1-PF-VB可以作为充电器和电池管理单元中的开关器件。其能够处理高电压和提供高效率的充电能力。
3. **工业自动化设备**：在工业控制系统中，AM4990NE-T1-PF-VB可用于高压电机驱动器和其他高电压负载的开关控制。其可靠的开关特性确保了设备的稳定运行和长期可靠性。
4. **电源管理模块**：在需要高电压和高效率电源管理的应用中，如服务器和通信基站，AM4990NE-T1-PF-VB可以用于DC-DC转换器和稳压器设计，以提供稳定的电源输出。
通过以上例子可以看出，AM4990NE-T1-PF-VB是一款适用于高压和高电流应用的高性能MOSFET，特别适合需要处理高电压和提供高效率电能转换的电子和电气领域。
