BSZ520N15NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 一、BSZ520N15NS3 G-VB产品简介
BSZ520N15NS3 G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装为DFN8(3x3)。这款MOSFET具有较高的漏源电压承受能力和适中的导通电阻,适合于高压和中高电流的应用。其最大漏源电压为150V,栅源电压为±20V,导通电阻在VGS=10V时为35mΩ,最大连续漏极电流为25.5A。BSZ520N15NS3 G-VB在高压电源管理和功率开关等领域表现出色,提供了良好的性能和可靠性。
### 二、BSZ520N15NS3 G-VB详细参数说明
| 参数 | 值 |
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| 封装类型 | DFN8(3x3) |
| 配置 | 单N沟道 |
| 最大漏源电压 (VDS) | 150V |
| 最大栅源电压 (VGS) | ±20V |
| 阈值电压 (Vth) | 3V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 35mΩ @ VGS=10V |
| 最大漏极电流 (ID) | 25.5A |
| 技术 | 沟槽技术 |
### 三、应用领域和模块举例
1. **高压直流-直流转换器(High-Voltage DC-DC Converter)**:BSZ520N15NS3 G-VB由于其150V的高漏源电压能力,非常适合用于高压直流-直流转换器。这类转换器常见于高压电源系统、电动汽车的电池管理系统以及工业自动化设备中。它能够有效地处理高电压,并保持较低的导通电阻,提高系统的整体效率。
2. **功率开关(Power Switch)**:在需要处理高电压和中高电流的功率开关应用中,这款MOSFET表现出色。例如,在家用电器、工业设备以及电力控制系统中,BSZ520N15NS3 G-VB可以作为高压负载开关,用于控制大功率设备的电源开关,提供可靠的开关控制。
3. **电源管理模块(Power Management Module)**:BSZ520N15NS3 G-VB可用于高压电源管理系统中的电源开关和电压稳压器。其高漏源电压和中等导通电阻使其在电源管理模块中非常有用,如在通信设备、计算机电源系统及工业控制系统中进行高压电源的管理和调节。
4. **电动汽车(Electric Vehicle)**:在电动汽车中,BSZ520N15NS3 G-VB可以用于电池管理系统和高压电源开关。其高电压和高电流处理能力,使其能够承受电池组和高压电源系统中的高电压,提供稳定可靠的性能,确保车辆电气系统的正常运行。