BF912N60-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BF912N60-VB** 是一款高压单通道 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220F 封装。这款 MOSFET 使用了 Plannar 技术，设计用于处理高达 650V 的漏源极电压，同时具有较高的电流承载能力和可靠性。其门源极电压（VGS）最大为 ±30V，适应广泛的驱动条件。BF912N60-VB 的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 10V 时为 320mΩ，虽然相对较高，但考虑到其高电压和电流能力，仍然提供了不错的功率性能。该 MOSFET 的额定漏极电流（ID）为 20A，适合在高电流负载下运行。
### 详细参数说明
- **型号**: BF912N60-VB
- **封装**: TO-220F
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **门源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 320mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: Plannar 技术
### 应用领域和模块举例
1. **高压电源管理**:
BF912N60-VB 是高压电源管理应用的理想选择，特别是在需要处理高电压和大电流的场合。它可以用于高压开关电源、逆变器和其他高压电源转换器中，提供稳定的开关性能和可靠的高压控制。
2. **工业电机驱动**:
在工业电机驱动系统中，BF912N60-VB 能够处理高电压和高电流负载，例如大型电机和驱动模块。它的高电压耐受能力使其适用于需要大功率和高电压的电机驱动应用。
3. **逆变器和电源转换器**:
由于其高漏源极电压（VDS）能力，BF912N60-VB 非常适合在逆变器和其他电源转换器中使用。这种 MOSFET 能够承受高电压和高电流，确保稳定和高效的电源转换。
4. **开关模式电源（SMPS）**:
BF912N60-VB 适用于开关模式电源（SMPS）中的高压开关应用，能够在高电压和高电流条件下提供可靠的开关性能。虽然其导通电阻较高，但在高电压条件下依然表现稳定。
这款 MOSFET 的设计使其在需要高电压和高电流的应用中非常出色，尤其是在高压电源管理和电机驱动系统中。
