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BSZ086P03NS3 G-VB一种Single-P沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2025-01-10
### 产品简介
**BSZ086P03NS3 G-VB** 是一款高性能单P沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为DFN8(3x3)。该MOSFET设计用于负电压、高电流应用，具有-30V的漏源电压（VDS）和最大20V的栅源电压（VGS）。它具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力，特别适合用于高效的电源管理和负载开关应用。
### 参数说明
- **型号**: BSZ086P03NS3 G-VB
- **封装**: DFN8(3x3)
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压（VDS）**: -30V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: -2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 18mΩ @ VGS = 4.5V
- 11mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: -45A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块
**BSZ086P03NS3 G-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**: 用于高电流负载的电源管理系统，如DC-DC转换器和负载开关，提供高效的功率转换和低功率损耗。
2. **负载开关**: 在高电流负载开关电路中应用，能够处理较大的负载电流，确保稳定的开关性能。
3. **电动驱动系统**: 适用于电动汽车和其他电动驱动系统中的高电流控制，优化系统性能和效率。
4. **逆变器**: 在逆变器和功率放大器中使用，提供稳定的负电压控制，支持高效的功率转换。
该MOSFET的低导通电阻和高电流处理能力使其在各种高效电源管理和负载开关应用中表现出色，适合用于需要高电流和高效率的场景。
