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BSC320N20NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC320N20NS3 G-VB** 是一款高耐压单通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封装。该器件设计用于中高电压应用，具有高漏极-源极耐压（200V），适合高电压环境。其阈值电压为 3V，最大漏极电流为 30A，RDS(ON) 为 38mΩ @ VGS=10V，确保了高效的开关性能和较低的功耗。采用沟道工艺（Trench），在不同工作条件下表现稳定。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC320N20NS3 G-VB
- **封装**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单通道 N 型 MOSFET
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 200V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 3V
- **RDS(ON)**: 38mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: 沟道工艺 (Trench)
### 应用领域和模块
**BSC320N20NS3 G-VB** 适用于以下领域和模块：
1. **高压电源管理**：在高电压电源转换器中使用，适合如工业电源、HVDC 电源系统等应用，提供稳定的开关性能。
2. **电机驱动**：用于中高电压电机控制系统，适合如电动工具、高压泵和工业设备等。
3. **汽车电源**：在汽车电源管理系统中应用，支持高电压负载，如电动座椅和高压电动门锁。
4. **充电系统**：适用于高压电池充电器和电池管理系统中，提供高效开关控制，优化充电过程。
5. **能源转换**：用于高压逆变器和功率转换器，支持太阳能和风能等可再生能源系统。
