AM7360N-T1-PF-VB一种Single-N沟道DFN8(3X3)封装MOS管
2024-11-29
### 产品简介
AM7360N-T1-PF-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为DFN8(3X3)。该器件具有高耐压特性和优异的导通特性，适用于各种需要高效能和可靠性的电子设备和系统中。
### 详细参数说明
- **型号**: AM7360N-T1-PF-VB
- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 60V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
AM7360N-T1-PF-VB适用于多种应用场景，包括但不限于以下几个领域和模块：
1. **电源管理模块**: 在各种电源管理系统中，特别是需要承受较高电压和电流的场合，如电池管理、电动工具和工业设备的电源开关模块中，AM7360N-T1-PF-VB可以作为主要的开关器件，确保系统的高效和稳定运行。
2. **电动车充放电管理**: 在电动车的电池管理系统中，该MOSFET可以用来控制充放电过程，保护电池免受过电流和过压的损害，同时提高能量转换效率和电池寿命。
3. **LED驱动器**: 在LED照明领域，AM7360N-T1-PF-VB可用作LED驱动器中的开关器件，通过精确的电流和功率控制，实现LED灯的高效能和长寿命。
4. **汽车电子系统**: 在汽车电子系统中，特别是需要承受汽车电气环境中高电压和大电流的电源管理和控制模块，该MOSFET可以提供可靠的性能和长期稳定性。
AM7360N-T1-PF-VB因其高耐压、低导通电阻和良好的热特性，在现代电子设备和工业应用中具有广泛的应用前景，能够满足复杂系统对高性能和可靠性的严格要求。
