BUK583-60A-VB一种Single-N沟道SOT223封装MOS管
2025-01-15
### 一、BUK583-60A-VB 产品简介
BUK583-60A-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 SOT223。这款 MOSFET 采用先进的 Trench 技术，具有 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS) 规格。其在 4.5V 的栅源电压下，导通电阻为 33mΩ，在 10V 的栅源电压下，导通电阻进一步降低至 28mΩ。BUK583-60A-VB 支持最大 7A 的连续漏极电流 (ID)，适用于高效开关和电源管理的各种应用场景，特别适合对封装尺寸和性能有较高要求的设计。
### 二、BUK583-60A-VB 详细参数说明
| 参数 | 值 | 单位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 产品型号 | BUK583-60A-VB | |
| 封装 | SOT223 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 60 | V |
| 栅源电压 (VGS) | ±20 | V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) | 33 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 28 (VGS = 10V) | mΩ |
| 栅极电流 (IG) | 100 | nA |
| 连续漏极电流 (ID) | 7 | A |
| 瞬时脉冲漏极电流 (ID(pulse)) | 21 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 25 | W |
| 工作温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 存储温度范围 | -55 至 +175 | °C |
| 技术 | Trench | |
### 三、应用领域和模块示例
BUK583-60A-VB 的高性能和紧凑封装使其在多个领域表现出色，以下是几个应用示例：
1. **电源管理**：在开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中，BUK583-60A-VB 能够作为高效开关元件，提供低导通电阻和优良的电源转换效率。
2. **小型电机控制**：由于其较小的封装和良好的性能，这款 MOSFET 特别适合用于微型电动机驱动电路，如玩具、家用电器和小型机器人中的电机控制。
3. **电池保护**：在便携设备和移动电子产品的电池保护电路中，BUK583-60A-VB 能够有效保护电池免受过流影响，确保设备的安全性和稳定性。
4. **LED 驱动**：在 LED 驱动器和调光器中，这款 MOSFET 的低导通电阻和小封装尺寸使其能够提供高效且可靠的开关功能，提升整体照明系统的性能。
这些应用示例展示了 BUK583-60A-VB 在紧凑设计和高效开关应用中的重要作用。
