B210L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
**产品简介：**
B210L-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，封装为 TO263，设计用于高电流和高效率应用。该 MOSFET 支持 30V 的漏源电压（VDS）和 150A 的最大漏极电流（ID），在 VGS 为 4.5V 和 10V 时，其导通电阻（RDS(on)）分别为 3.2mΩ 和 2.3mΩ。采用 Trench 技术，这款 MOSFET 提供极低的导通阻抗，适用于要求高功率密度和低功耗的电路设计。
**详细参数说明：**
- **型号**: B210L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单管 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(on))**:
- 3.2mΩ（VGS=4.5V 时）
- 2.3mΩ（VGS=10V 时）
- **最大漏极电流 (ID)**: 150A
- **技术**: Trench
**应用领域和模块示例：**
1. **高功率开关电源 (High-Power Switching Power Supplies)**: 由于其超低导通电阻和高电流能力，B210L-VB 适用于高功率开关电源，能够提高系统的转换效率，并降低热量产生。
2. **电动汽车 (Electric Vehicles)**: 在电动汽车的电池管理和动力控制系统中，该 MOSFET 提供高电流处理能力，确保系统的高效性和可靠性。
3. **工业设备 (Industrial Equipment)**: 适用于需要高电流和低功耗的工业设备，如电机驱动和高功率开关应用，确保系统稳定运行。
4. **电源管理系统 (Power Management Systems)**: B210L-VB 在电源管理系统中能够有效控制高电流负载，提供高效的性能和稳定性。
