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PSMN025-100D-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
2024-01-09
型号：PSMN025-100D
丝印：VBE1102N
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：100V
- 额定电流：45A
- 导通电阻：18mΩ @ 10V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压：3.2V
- 封装类型：TO252
详细参数说明：
PSMN025-100D是一款N沟道MOS管，适用于最大100V的工作电压，最大45A的电流承载能力。其导通电阻在10V下为18mΩ。阈值电压为3.2V，需要在控制电压大于该阈值时才能实现正常导通。封装类型为TO252。
应用简介：
PSMN025-100D适用于需要高电压和高电流承载能力的应用领域，如电源开关、电机驱动器、逆变器等。其较低的导通电阻和高额定电压使其能够在大功率传输和高压应用中具备卓越的性能。在电机驱动器模块和逆变器模块中，PSMN025-100D能够提供可靠的开关控制和高功率输出。
综上所述，PSMN025-100D适用于需要高电压和大电流承载能力的应用，尤其适用于电源开关、电机驱动器和逆变器等领域模块。它的低导通电阻和高额定电压为这些模块提供了可靠性和高性能。
