AM3949P-T1-PF-VB一种Dual-P+P沟道SOT23-6封装MOS管
2024-11-28
### 1. 产品简介：
AM3949P-T1-PF-VB 是一款双 P 沟道 + 双 P 沟道配置的功率 MOSFET，采用先进的沟道工艺，适合于需要处理较高负向电压和中等电流的应用场合。具备优秀的导通特性和可靠性，适用于各种电子设备的功率管理和开关控制。
### 2. 参数说明：
- **型号：** AM3949P-T1-PF-VB
- **封装：** SOT23-6
- **配置：** 双 P 沟道 + 双 P 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 最大-60V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** -1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 85mΩ @ VGS = 4.5V
- 70mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）：** 最大-4.5A
- **技术：** 沟道技术（Trench）
### 3. 应用示例：
AM3949P-T1-PF-VB 可以在多种领域和模块中发挥作用，例如：
- **电源管理：** 在低压电源开关和 DC-DC 变换器中，特别是需要处理较高负向电压（最大-60V）和中等电流的场合，该 MOSFET 可以提供高效的功率转换和优化的电源管理功能。
- **汽车电子：** 在汽车电子系统中，特别是在12V电源电路和车内电子设备控制模块中，AM3949P-T1-PF-VB 的高电压耐受能力和低导通电阻特性能够提供可靠的电流控制和高效的功率传输。
- **工业控制：** 在工业自动化设备和电机驱动器中，该 MOSFET 可以用于控制和保护电路，确保系统的稳定性和可靠性。
这些示例展示了该产品在需要处理较高负向电压、中等电流和要求高效能和可靠性的各种应用场合中的广泛适用性和优势。
