AP2761I-A-VB一种Single-N沟道TO220F封装MOS管
2024-12-12
### AP2761I-A-VB 产品简介
AP2761I-A-VB 是一款高压单N沟道MOSFET，采用平面技术制造，封装在TO220F包装中。它具有高耐压能力和稳定的性能特征，在需要承受高电压和大电流负载的应用中表现优异。这款MOSFET适用于各种要求严格的工业和电源管理应用。
### AP2761I-A-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**：650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：1100mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：7A
- **技术**：平面（Plannar）
### AP2761I-A-VB 应用领域及模块
AP2761I-A-VB 在高压应用领域中具有广泛的应用，特别适合以下场景：
1. **电源逆变器**：
- 由于其高击穿电压和稳定的性能，AP2761I-A-VB 可以用作电源逆变器中的主要开关元件。例如，在太阳能逆变器中，它能够稳定地控制电流和电压，确保系统的高效运行和长期可靠性。
2. **电动汽车充电桩**：
- 在高压充电桩中，这款MOSFET可以有效地处理大电流和高电压情况，确保充电效率和安全性。其低导通电阻减少了能量损耗，提高了充电速度和效率。
3. **工业自动化**：
- 在工业自动化控制系统中，AP2761I-A-VB 可以作为高电压开关，用于控制各种电动机和设备。其稳定的性能和长寿命设计使其能够在恶劣工作环境下长期稳定运行。
4. **电力分配**：
- 用于电力分配系统中的开关和保护装置，这款MOSFET能够有效地隔离和控制电路，确保电网的安全和可靠性。
通过其高耐压能力和可靠的性能，AP2761I-A-VB 成为各种要求高压和高效能的应用中的首选，为工程师提供了强大的设计支持和解决方案。
