BSC160N10NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC160N10NS3 G-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，封装为DFN8(5x6)，采用Trench技术。这款MOSFET能够承受高达100V的漏源电压，并支持最大65A的漏极电流。其设计特点包括低导通电阻和适中的阈值电压，使其在低栅源电压下也能高效运行。BSC160N10NS3 G-VB广泛应用于电源管理和开关控制等高电压和高电流场合，提供优异的开关性能和高效能。
### 详细参数说明
- **封装类型**：DFN8(5x6)
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**：100V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 12.36mΩ @ VGS=4.5V
- 9mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：65A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
1. **高压电源转换**：
BSC160N10NS3 G-VB适用于高压电源转换系统，如高压AC-DC转换器和DC-DC变换器。其高漏源电压能力和低导通电阻使其在高压环境中稳定运行，能够高效处理复杂的电源转换任务。
2. **电力电子设备**：
在电力电子设备中，该MOSFET可以用于电力调节和开关控制，例如电源因数校正（PFC）电路和不间断电源（UPS）系统。其高电压耐受能力和优异的开关性能提升了设备的效率和可靠性。
3. **电动机控制**：
BSC160N10NS3 G-VB适用于电动机驱动系统，尤其是在需要处理高电流和高电压的电动机控制应用中。无论是步进电机还是直流电机驱动器，该MOSFET都能提供稳定的电流控制和高效的功率转换。
4. **汽车电子**：
在汽车电子系统中，这款MOSFET可以用于汽车电源管理系统和电动助力转向系统。其高电流处理能力和高电压承受能力为汽车系统提供了可靠的电源管理和开关控制。
5. **工业自动化**：
在工业自动化领域，BSC160N10NS3 G-VB可用于PLC控制器、电动阀门和其他工业电源管理设备。其高电流和高电压处理能力确保了工业设备的稳定运行和高效能，适用于各种高负荷应用。
通过这些应用领域的描述，BSC160N10NS3 G-VB MOSFET凭借其高电流处理能力、高电压耐受能力和低导通电阻，适用于各种高效能和高可靠性的电源管理及开关应用中。
