BSC120N03MS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSC120N03MS G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装，专为高电流和低电压应用设计。这款MOSFET使用Trench技术，具有低导通电阻和高电流处理能力，能够在高达80A的漏极电流下稳定工作，并承受最高30V的漏源极电压。其优异的导通性能和紧凑的封装设计使其特别适用于高效能的电源管理和功率开关应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC120N03MS G-VB
- **封装类型**: DFN8(5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 9mΩ @ VGS=4.5V；7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块示例
1. **DC-DC转换器**：BSC120N03MS G-VB MOSFET在高效的DC-DC转换器中表现出色，特别是在低电压和高电流的应用场合。其低导通电阻可以减少能量损耗，提高转换器的整体效率，进而提升系统性能。
2. **电源管理模块**：在电源管理系统中，该MOSFET能够处理大电流负载并提供稳定的开关性能。其低导通电阻使其在电源分配和负载开关应用中表现优异，有助于保证系统的稳定性和高效能。
3. **电动工具**：BSC120N03MS G-VB MOSFET适用于电动工具的电源开关和控制模块。其高电流能力和低导通电阻确保工具在高负荷条件下的稳定运行和高效能。
4. **高功率LED驱动器**：在高功率LED驱动器中，这款MOSFET能够稳定地控制大电流，提升LED的亮度和使用寿命。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升驱动器的整体效率。
5. **开关电源 (SMPS)**：BSC120N03MS G-VB MOSFET在开关电源模块中表现出色，特别是在低电压应用中。其优异的导通性能和高电流处理能力使其适用于高功率开关操作，提升电源系统的整体性能。
BSC120N03MS G-VB凭借其强大的电流处理能力和低导通电阻，在这些应用中展现出了优异的性能，是高效能电源管理和功率开关系统中的理想选择。
