BUK457-500B-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-14
### 一、BUK457-500B-VB 产品简介
BUK457-500B-VB 是一款高电压N沟道MOSFET，采用TO220封装，并使用Plannar技术制造。这款MOSFET 能够承受高达500V的漏源极电压，并能够处理高达13A的漏极电流。尽管其导通电阻相对较高（660mΩ），其高电压承受能力使其在高电压应用中表现出色，适合用于需要高电压和高可靠性的电子系统。
### 二、BUK457-500B-VB 详细参数说明
- **型号**: BUK457-500B-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 500V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.1V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 660mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 13A
- **技术**: Plannar
### 三、BUK457-500B-VB 适用领域和模块举例
BUK457-500B-VB 的高电压耐受性和稳定的性能使其在以下领域和模块中得到广泛应用：
1. **高压电源管理**: 由于其能够承受高达500V的电压，BUK457-500B-VB 适合用于高压电源管理系统，如高压DC-DC转换器和AC-DC电源转换器。在这些应用中，MOSFET 的高电压承受能力能够确保系统的稳定性和可靠性，即使在高电压负荷下也能提供可靠的性能。
2. **功率开关设备**: 在各种功率开关设备中，如高功率开关电源和功率放大器，BUK457-500B-VB 的高电压承受能力和较高的导通电阻使其能够处理大功率负荷。尽管导通电阻较高，但其高电压能力仍然使其适用于高电压和高功率应用。
3. **逆变器系统**: 在逆变器系统，如太阳能逆变器和高压直流输电系统，该MOSFET 的高电压能力使其能够支持高电压输入，确保系统的稳定运行和高效性能。它能够在高电压条件下提供可靠的开关控制。
4. **高压电子变换器**: 在高压电子变换器应用中，如电动汽车充电器和高压直流电源，BUK457-500B-VB 可以处理高电压条件下的开关任务，适合在各种高电压电子系统中使用。
BUK457-500B-VB 的高电压耐受性和稳定的电气性能使其在高电压应用中表现出色，能够满足现代高电压电子系统对可靠性和稳定性的需求。
