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BSO064N03S-VB一种SOP8封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-09
**产品简介：**
BSO064N03S-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 SOP8，适用于中低电压开关应用。其 VDS（漏极-源极最大电压）为 30V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 13A。该 MOSFET 采用沟槽型工艺技术，具有低导通电阻（RDS(ON) 为 11mΩ 在 VGS=4.5V 时，8mΩ 在 VGS=10V 时），适合用于需要高效能和高电流的开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: SOP8
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 30V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 11mΩ @ VGS = 4.5V；8mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 13A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **电源管理**：在 DC-DC 转换器和电源开关应用中，BSO064N03S-VB 的低 RDS(ON) 特性能够减少功耗，提高转换效率，适合用于高电流电源设计。
2. **电动汽车**：在电动汽车的电池管理和电机驱动系统中，该 MOSFET 能处理较高的电流负载，确保系统的稳定性和性能。
3. **工业控制**：用于工业设备的负载开关和控制系统中，BSO064N03S-VB 的高电流能力和低导通电阻使其成为高效能开关应用的理想选择。
