BSC080N03LS G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BSC080N03LS G-VB** 是一款高性能单通道 N 沟道 MOSFET，封装类型为 DFN8(5x6)。这款 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术，设计用于处理高电流和高效率的应用。其漏源极电压（VDS）为 30V，最大门源极电压（VGS）可达 ±20V，适合广泛的驱动条件。BSC080N03LS G-VB 的导通电阻（RDS(ON)）在 VGS 为 4.5V 时为 9mΩ，在 VGS 为 10V 时为 7mΩ，提供了低功耗和高效能的优势。该 MOSFET 的漏极电流（ID）高达 80A，能够满足大电流负载的需求。
### 详细参数说明
- **型号**: BSC080N03LS G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 30V
- **门源极电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench 技术
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**:
BSC080N03LS G-VB 在电源管理模块中提供卓越的性能，尤其适用于高效率的开关电源和 DC-DC 转换器。其低导通电阻能够显著减少功率损耗，提高电源转换效率，保证系统稳定运行。
2. **电机驱动**:
在电机驱动应用中，BSC080N03LS G-VB 由于其高电流处理能力和低导通电阻，适用于驱动直流电机和步进电机。它能够高效地处理大电流负载，提升电机的响应速度和工作效率。
3. **功率转换器**:
对于功率转换器应用，如高效的 AC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器，BSC080N03LS G-VB 能够提供稳定的开关性能和高功率处理能力。其低导通电阻减少了热量生成，提高了功率转换效率。
4. **LED 驱动电路**:
在高功率 LED 驱动电路中，BSC080N03LS G-VB 可以处理较大的电流，并且低导通电阻能够减少系统的热量产生，延长系统的使用寿命和稳定性。
这款 MOSFET 的优越性能使其在需要高电流和高效率的应用中表现出色，特别是在电源管理和驱动系统中。
