BUK554-200A-VB一种Single-N沟道TO220封装MOS管
2025-01-15
## BUK554-200A-VB MOSFET 产品简介
BUK554-200A-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET，专为要求严格的电源管理应用而设计。凭借其 TO220 封装和沟槽技术，这款 MOSFET 可提供强大的处理高电压和电流的性能，使其适用于一系列高功率电子系统。
## 详细参数说明
- **封装**：TO220
- **配置**：单 N 通道
- **漏源电压 (VDS)**：200V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：3V
- **漏源导通电阻 (RDS(ON))**：
- 310mΩ @ VGS = 4.5V
- 270mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流 (ID)**：10A
- **技术**：沟槽
## 应用示例
### 电源
BUK554-200A-VB MOSFET 是高压电源的理想选择，包括工业和电信设备。其 200V VDS 额定值和低导通电阻（VGS = 10V 时为 270mΩ）可实现高效切换和功率处理，使其适用于高压 DC-DC 转换器和电源管理系统。
### 电机驱动器
在电机驱动应用中，特别是那些需要高电压和电流处理的应用中，BUK554-200A-VB 可用于驱动和控制电机。其高电压额定值可确保在电机电压可能超过标准水平的环境中可靠运行。
### 汽车系统
汽车系统（包括电动汽车或高级照明系统等具有高功率要求的系统）可从 BUK554-200A-VB 中受益。其沟槽技术和高 VDS 额定值有助于管理此类应用中遇到的高电压，确保高效可靠的性能。
### 高压切换
MOSFET 的高 VDS 和强大的电流处理能力使其适用于高压切换应用。它可用于必须有效切换或调节高电压和电流的各种电路，例如大功率逆变器或电力电子模块。
总之，BUK554-200A-VB MOSFET 的高耐压性、低导通电阻和强大的电流处理能力使其成为大功率应用的绝佳选择，包括电源、电机驱动器、汽车系统和高压开关电路。其沟槽技术可确保在苛刻的环境中保持效率和可靠性。
