AOI4N60-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2024-12-05
### AOI4N60-VB 产品简介
AOI4N60-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO251封装。它具备高耐压特性和稳定的电流控制能力，适合在高电压环境下提供可靠的功率开关和电流控制。
### AOI4N60-VB 详细参数说明
- **封装类型**: TO251
- **晶体管配置**: 单N沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: 650V
- **栅源极耐压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 2200mΩ @ VGS=10V
- **最大漏源极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Plannar
### AOI4N60-VB 应用领域和模块
AOI4N60-VB适用于多种需要高耐压和稳定电流控制的应用场合，以下是几个典型的应用示例：
1. **电源开关**: 在工业电源和UPS系统中，AOI4N60-VB可用作高压开关和稳定电流控制器，确保系统的高效能量转换和可靠性。
2. **照明驱动**: 在LED照明驱动器和高压照明系统中，该MOSFET可以作为功率开关和电流控制器，提供稳定的电流输出和高效的能量转换。
3. **电动车充电器**: 在电动车充电系统中，AOI4N60-VB可以用于高压直流-直流转换和电池管理，确保安全和高效的充电过程。
4. **电源管理**: 在工业控制设备和电源管理系统中，该器件可以用于高压开关和电流控制，保证设备的稳定运行和节能效果。
5. **太阳能逆变器**: 在太阳能电池逆变器中，AOI4N60-VB可以作为高压开关器件，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，适用于家庭和商业太阳能系统。
综上所述，AOI4N60-VB因其高耐压特性、稳定的电流控制和适应高压环境的能力，适用于多种高压、高功率的电子设备和工业应用场合。
