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SI1967DH-T1-GE3-VB一款2个P沟道SC70-6封装MOSFET应用分析
2024-01-06
SI1967DH-T1-GE3详细参数说明：
- 极性：2个P沟道
- 额定电压：-20V
- 额定电流：-1.5A
- 导通电阻：230mΩ @ 4.5V, 276mΩ @ 2.5V
- 门源电压：12Vgs (±V)
- 阈值电压：-0.6~-2Vth (V)
- 封装类型：SC70-6
应用简介：
SI1967DH-T1-GE3是一款双P沟道MOSFET，具有负的额定电压和额定电流，适合在各种电源管理和功率放大器应用中使用。它的导通电阻适中且具有较高的性能特性，能够提供可靠而高效的电流开关功能。
该器件通过控制12Vgs (±V)的门源电压，实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关的状态转换。它的导通电阻较低能够降低功率损耗，提高系统效率。
SI1967DH-T1-GE3采用SC70-6封装，封装小巧，适合在空间有限的应用场景中使用。
该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。由于其双P沟道的特性，它可以用于控制和开关负电压的电路，非常适用于负电源应用的需要。在这些领域中，SI1967DH-T1-GE3能够提供可靠的功率开关控制，实现高效能的电流传输和开关操作。
总之，SI1967DH-T1-GE3是一款双P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器的各种应用模块中，特别是在电源开关、电机驱动器等领域，以及需要控制和开关负电压的电路场景中。
