AUIRFR4105ZTRPBF-VB一种Single-N沟道TO252封装MOS管
2025-01-04
### 产品简介
AUIRFR4105ZTRPBF是一款单N沟道场效应晶体管（MOSFET），封装为TO-252。该器件采用沟槽技术，适用于要求中高电压和高电流的应用。其额定漏极-源极电压（VDS）为60V，最大连续漏极电流为58A，具有较低的导通电阻，能够有效降低功耗和提升系统效率。AUIRFR4105ZTRPBF设计用于电源管理、电动汽车和开关电路等多种高要求应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AUIRFR4105ZTRPBF
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**: 60V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 13mΩ（VGS = 4.5V）
- 10mΩ（VGS = 10V）
- **连续漏极电流（ID）**: 58A
- **技术**: Trench（沟槽技术）
### 适用领域和模块
1. **电源管理**：AUIRFR4105ZTRPBF在DC-DC转换器和电源开关中提供高效的电流开关能力，适用于要求高电压和高电流的电源管理应用。其低导通电阻有助于降低功耗和提升整体系统效率。
2. **电动汽车**：在电动汽车驱动系统和电池管理系统中，该MOSFET因其较高的电压承受能力和导通电阻的表现，能够有效地处理电流，确保系统的稳定性和安全性。
3. **开关电路**：适用于需要高电流处理的开关电路，如电机驱动、电源切换和负载开关，其优异的开关特性和低导通电阻确保了高效能的电流控制。
4. **工业控制**：在工业控制系统中，AUIRFR4105ZTRPBF可以用于控制大功率负载和电源开关，其高电流承载能力和优良的开关性能使其适合要求严格的工业应用。
