AM3904N-T1-PF-VB一种Dual-N+N沟道SOT23-6封装MOS管
2024-11-28
### 产品简介详述：AM3904N-T1-PF-VB
**型号：** AM3904N-T1-PF-VB
**封装：** SOT23-6
**结构：** 双N+N沟道
**漏极-源极电压（VDS）：** 20V
**栅极-源极电压（VGS）：** ±12V
**阈值电压（Vth）：** 0.5~1.5V
**导通电阻（RDS(ON)）：** 28mΩ @ VGS=2.5V, 22mΩ @ VGS=4.5V
**漏极电流（ID）：** 6A
**技术：** Trench（沟槽型）
### 详细参数说明：
1. **电气特性：**
- **静态参数：**
- 漏极-源极电压（VDS）：20V
- 栅极-源极电压（VGS）：±12V
- 阈值电压（Vth）：0.5~1.5V
- 漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：
- 28mΩ @ VGS=2.5V
- 22mΩ @ VGS=4.5V
- 最大漏极电流（ID）：6A
2. **封装和配置：**
- 封装形式：SOT23-6
- 结构类型：双N+N沟道
3. **技术特性：**
- 采用沟槽型MOSFET技术
### 应用示例：
AM3904N-T1-PF-VB适用于以下领域和模块的示例包括：
- **电源管理：** 在需要高效率和低功耗的电源管理系统中，用于开关电源和功率转换器。
- **电池保护：** 在便携式电子设备中，如智能手机和平板电脑，用于电池保护和充放电管理。
- **电动工具：** 作为电动工具中电机驱动的开关元件，因为能够处理高电流和较低的导通电阻。
- **汽车电子：** 在汽车电子系统中，用于电池管理、电动汽车的电动机驱动和车辆动力控制。
这些示例展示了AM3904N-T1-PF-VB在多种需要高电流、高效率和可靠性的应用中的潜在应用价值。
