AP4226M-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管
2024-12-13
### 一、AP4226M-VB产品简介
AP4226M-VB是一款双N沟道MOSFET，采用SOP8封装，专为高效能和高电流应用设计。该器件具有30V的漏极-源极电压（VDS），采用先进的Trench技术，具备低导通电阻和出色的开关性能。AP4226M-VB非常适合要求高效能和可靠性能的电源管理和电流控制应用。
### 二、AP4226M-VB详细参数说明
- **封装类型**：SOP8
- **配置**：双N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**：30V
- **栅极-源极电压 (VGS)**：20V（±V）
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 20mΩ @ VGS = 4.5V
- 16mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：8.5A
- **技术类型**：Trench
### 三、适用领域和模块应用举例
AP4226M-VB由于其双N沟道配置、高电流处理能力和低导通电阻，适用于多个领域和模块，包括但不限于：
1. **DC-DC转换器**：在便携式电子设备、电源模块和电池供电系统中，AP4226M-VB作为开关元件，可以实现高效的电能转换和稳定的电压输出。
2. **电源管理模块**：适用于各种电源管理应用，包括主板电源、图形卡电源和服务器电源模块，提供高效的电流控制和热管理。
3. **负载开关**：在消费电子和工业控制系统中，AP4226M-VB可用作负载开关，实现对负载的快速响应和精确控制。
4. **电机驱动器**：适用于小型电机驱动应用，如风扇、泵和电动工具中的电机驱动，提供稳定的电流输出和快速的开关速度。
通过以上应用案例，可以看出AP4226M-VB在高效能、高电流应用和电源管理中的优越性能和广泛适用性，使其成为各种工业和电子设备设计中的重要组成部分。
