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BSS225-VB一种Single-N沟道SOT89封装MOS管
2025-01-10
### 产品简介
**BSS225-VB** 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用Plannar技术制造，封装形式为SOT89。该MOSFET设计用于处理高电压应用，具有高达650V的漏源电压（VDS）和最大30V的栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻和相对较高的漏极电流能力使其在高电压开关和电源管理应用中提供稳定的性能。
### 参数说明
- **型号**: BSS225-VB
- **封装**: SOT89
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 650V
- **栅源电压（VGS）**: ±30V
- **阈值电压（Vth）**: 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 2500mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流（ID）**: 4A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块
**BSS225-VB** 主要适用于以下领域和模块：
1. **高电压开关电路**: 用于高达650V的开关应用，如高电压电源开关和负载开关，提供可靠的开关性能。
2. **电源管理**: 在高电压电源管理系统中使用，支持高电压的功率转换，优化系统的功率效率。
3. **功率放大器**: 在高电压功率放大器和高电压信号处理电路中，提供稳定的电流控制和开关性能。
4. **工业设备**: 适用于需要高电压处理的工业自动化设备中，能够处理高电流负载，确保系统的稳定性和可靠性。
该MOSFET的高电压处理能力和相对较低的导通电阻，使其在各种高电压和功率应用中表现稳定，适合处理高电压开关和功率控制任务。
