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BRI1N60-VB一种Single-N沟道TO251封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
**BRI1N60-VB** 是一款单极性N沟道功率MOSFET，采用TO251封装，适用于高电压应用。该MOSFET具有650V的漏源电压（VDS），并支持最大±30V的栅极源电压（VGS）。它的阈值电压（Vth）为3.5V，具有较低的导通电阻4300mΩ（VGS=10V）和最大漏电流2A。MOSFET采用平面技术，适合高压开关电源和功率控制应用。
### 详细参数说明
- **型号**: BRI1N60-VB
- **封装**: TO251
- **配置**: 单极性N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 650V
- **栅极源电压 (VGS)**: ±30V
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流 (ID)**: 2A
- **技术**: 平面技术
### 适用领域和模块
**BRI1N60-VB** 功率MOSFET 主要适用于以下领域和模块：
1. **电源管理**：在高压开关电源中用作开关元件，确保高效能量转换和降低功率损耗。
2. **功率控制**：在各种电机驱动和功率调节应用中，作为开关元件以实现高效控制和稳定性。
3. **电力逆变器**：在光伏发电系统和UPS（不间断电源）系统中，用于高压直流到交流的转换。
4. **电池管理系统**：用于电池保护和管理，尤其是在需要高电压耐受的应用中，确保系统的可靠性和安全性。
