公司动态详情返回动态列表>
AP05FN50I-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### AP05FN50I-VB 产品简介
AP05FN50I-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装在TO220F中。该器件设计用于高压应用，具有较高的额定漏源电压和较大的导通电阻，适合需要高电压且较低电流的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **栅阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 4A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
1. **电源开关**：
- **应用场景**: 在高压电源开关中，控制电路的开关和断开，保证电源的稳定性。
- **示例**: 工业设备的电源开关模块或高压电源管理系统。
2. **充电桩**：
- **应用场景**: 用于电动车充电桩中的开关控制和电流调节。
- **示例**: 公共充电站或家用电动车充电器中的电源管理模块。
3. **UPS系统**：
- **应用场景**: 在不间断电源系统中，控制电池和市电之间的切换和电流管理。
- **示例**: 数据中心的UPS系统或工业自动化设备的备用电源系统。
4. **电动工具**：
- **应用场景**: 用于电动工具中的电机控制和电源管理。
- **示例**: 手持电动工具如电钻或电锯中的电路控制和功率调节模块。
AP05FN50I-VB适用于需要高电压和中等电流的各种应用，其Plannar技术确保了在这些场景下的高效性和可靠性。
