BSC076N06NS3 G-VB一种Single-N沟道DFN8(5X6)封装MOS管
2025-01-08
### BSC076N06NS3 G-VB MOSFET 产品简介
BSC076N06NS3 G-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，封装为DFN8 (5x6) 外壳。它具有高电流承载能力和低导通电阻，非常适合用于高效能电力转换和功率管理应用中。其紧凑的封装设计使其在空间受限的应用场景中尤为适用。
### 详细的参数说明
- **型号**: BSC076N06NS3 G-VB
- **封装**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 7mΩ @ VGS = 4.5V
- 6mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench
### 应用领域和模块举例
#### DC-DC转换器
BSC076N06NS3 G-VB 的低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合用于DC-DC转换器中。作为同步整流器，它能够提供高效的电力转换，减少功率损耗，提高整个电源系统的效率和稳定性。
#### 电机驱动器
在电机驱动应用中，BSC076N06NS3 G-VB 可以用作H桥电路中的开关元件。其高电流处理能力和低导通电阻使其能够有效控制电机，提供平稳的电机操作，提升电机驱动系统的效率和响应速度。
#### 汽车电子
BSC076N06NS3 G-VB 适用于汽车电子系统中的高功率应用，例如电池管理系统和电动驱动系统。它的高电流承载能力和低功耗特性可以帮助管理和优化电池充放电过程，确保汽车电子系统在各种工作条件下的稳定运行。
#### 计算机和通信设备
在计算机和通信设备中，BSC076N06NS3 G-VB 可以用于电源管理模块和电力转换电路。它的紧凑封装和优异性能使其在空间受限的设备中尤为重要，确保设备的高效能和稳定性。
BSC076N06NS3 G-VB MOSFET 以其优良的电气特性和紧凑封装设计，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动器、汽车电子系统及计算机和通信设备等领域，为高效能电力电子系统的设计提供了强大的支持。
