AP9974GS-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-25
### 产品简介详述：
AP9974GS-VB 是一款单通道 N 沟道场效应管（MOSFET），采用沟道技术，适用于高功率应用。它具有高达60V的漏极-源极电压（VDS），最大漏极电流（ID）为75A。这款 MOSFET 的特点之一是其低导通电阻，具体数值如下：
- 在 VGS = 4.5V 时，导通电阻 RDS(ON) 为 12mΩ
- 在 VGS = 10V 时，导通电阻 RDS(ON) 为 11mΩ
它的阈值电压（Vth）为1.7V，工作时的门源电压范围为±20V。
### 详细参数说明：
- **型号**: AP9974GS-VB
- **封装**: TO263
- **通道类型**: 单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**: 60V
- **门源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **漏极-源极导通电阻（RDS(ON))**:
- VGS = 4.5V 时，RDS(ON) = 12mΩ
- VGS = 10V 时，RDS(ON) = 11mΩ
- **最大漏极电流（ID）**: 75A
- **技术**: 沟道技术（Trench）
### 应用示例：
1. **电源管理**：
在高效率的 DC-DC 变换器中，AP9974GS-VB 的低导通电阻和高漏极电流能够提供高效的电能转换，适用于要求高效率和高功率密度的应用。
2. **电机驱动**：
由于其高电流处理能力和低导通电阻，这款 MOSFET 可以用于电机驱动系统，如电动车辆和工业机械中的电机控制。
3. **电源开关**：
在高电压电源开关中，AP9974GS-VB 的高漏极-源极电压和低导通电阻使其成为一个可靠的选择，能够处理高功率和高频率的开关需求。
4. **电池管理**：
在锂电池管理系统中，这款 MOSFET 可以用于电池保护电路和充放电控制，确保电池的安全和效率。
5. **LED 照明**：
用于高功率 LED 驱动器中，以其高电流处理能力和低损耗特性，支持 LED 灯具的高效能驱动。
这些示例展示了 AP9974GS-VB 在多个领域和模块中的广泛应用，从而体现了其在高功率应用中的优越性能和灵活性。
