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B20S60L-VB一种TO263封装Single-N-Channel场效应管
2025-01-07
### 产品简介
B20S60L-VB 是一款高电压、高功率单级N沟道 MOSFET，封装形式为 TO263。采用 SJ_Multi-EPI 技术，设计用于处理高电压应用，提供稳定的性能和可靠性，适合用于高压开关和功率转换。
### 详细参数说明
- **型号**: B20S60L-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单级N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 20A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
B20S60L-VB 适用于以下领域和模块：
1. **高压电源管理**：在高电压电源系统中，用于高效开关和功率转换，处理高电压负载。
2. **工业设备**：用于工业电源系统和设备的高压开关应用，提供稳定可靠的性能。
3. **电动汽车**：在电动汽车的高压功率控制系统中处理电池和电动机的高电压开关需求。
4. **电力转换器**：在高电压 DC-DC 转换器中作为开关元件，提升电力转换效率并确保系统稳定性。
