BSD235C-VB一种Dual-N+P沟道SC70-6封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSD235C-VB是一款双管N+P沟道MOSFET，封装形式为SC70-6。该MOSFET支持±20V的漏极-源极耐压，适用于双极性电源设计。具有1.0V的N沟道门槛电压和-1.2V的P沟道门槛电压。该器件采用Trench技术，具有低导通电阻，适用于各种开关和电源管理应用。
### 参数说明
- **型号**: BSD235C-VB
- **封装**: SC70-6
- **配置**: 双管N+P沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: ±20V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**:
- N沟道: 1.0V
- P沟道: -1.2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- N沟道:
- 2.5V栅极驱动下: 110mΩ
- 4.5V栅极驱动下: 90mΩ
- P沟道:
- 2.5V栅极驱动下: 190mΩ
- 4.5V栅极驱动下: 155mΩ
- **漏极电流 (ID)**:
- N沟道: 3.28A
- P沟道: -2.8A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BSD235C-VB适用于以下领域和模块：
1. **电源开关**: 在双极性电源系统中，用于高效的开关控制，提供低导通电阻以减少功率损耗。
2. **电池管理**: 在电池管理系统中作为高效开关元件，处理双极性电流流动，确保电池的安全和高效运行。
3. **电机驱动**: 适用于电机驱动电路中，作为开关元件提供稳定的电流控制。
4. **信号开关**: 用于信号开关应用，尤其是在需要双极性开关的场合，提供低开关损耗和高可靠性。
该MOSFET的双极性支持和低导通电阻使其在要求高效、稳定开关的应用中表现优异。
