AP11N50I-VB一种TO220F封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### AP11N50I-VB MOSFET 产品简介
AP11N50I-VB 是一款高压单 N-沟道 MOSFET，适用于需要处理高电压的电子应用。其采用 TO220F 封装，具备高电压承载能力和优异的导通特性，适合于多种高压电源和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单 N-沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: 650V
- **VGS（栅极-源极电压）**: ±30V
- **Vth（阈值电压）**: 3.5V
- **RDS(ON) @ VGS=10V**: 680mΩ
- **ID（连续漏极电流）**: 12A
- **技术**: 平面（Plannar）
### 应用示例
**电源开关**: AP11N50I-VB 可以广泛应用于高压电源开关，如逆变器、开关电源和功率因数校正电路。其高电压承载能力和低导通损耗使其在能量转换效率和电源管理中表现优异。
**电动车充电器**: 在电动车充电器中，该 MOSFET 可以用于高压直流-直流转换器和充电管理单元。其能够处理高电流和快速开关操作，确保电动车充电过程中的高效率和稳定性。
**工业高压控制**: 在工业设备的高压控制系统中，AP11N50I-VB 可以用于马达控制、电动阀门和高压电源单元。其稳定的性能和可靠的电气特性适合于长时间运行和严苛环境下的应用。
**UPS（不间断电源系统）**: 作为UPS系统中的关键组件，该 MOSFET 可以确保UPS在断电时提供稳定的备用电源。其高可靠性和耐压特性使其成为电力保障中不可或缺的部分。
**照明应用**: 在高压LED照明系统中，AP11N50I-VB 可以用于LED驱动器和照明控制器，提供稳定的电源管理和长寿命的LED照明解决方案。
综合其高电压承载能力、优异的导通特性和广泛的应用领域，AP11N50I-VB MOSFET 是一款适用于要求高性能和可靠性的高压电子应用的理想选择。
