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AO3162-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2024-12-02
### 产品简介
AO3162-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，封装形式为SOT23-3。具有高漏源极电压承受能力和适中的导通电阻特性，适用于低功率、低电流的开关控制和电源管理应用。
### 详细参数说明
- **型号**: AO3162-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: 650V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±30V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 8400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 1A
- **技术**: Plannar
### 应用领域和模块示例
AO3162-VB适用于以下几个主要的应用领域和模块：
1. **低功率开关电路**: 在需要低功率、低电流控制的应用中，如电子开关、传感器控制电路等，AO3162-VB可以提供足够的漏源极电压和可靠的开关性能。
2. **LED驱动器**: 在LED照明系统的驱动器电路中，AO3162-VB可以用作低功率开关和电流控制器，确保LED灯具的稳定亮度和长寿命。
3. **电池管理**: 在需要对电池进行低功率控制和保护的电池管理系统中，例如便携式电子设备、智能手机和无线传感器网络中，该MOSFET能够有效地管理电池充放电过程。
4. **电源适配器**: 在小型电源适配器和电源模块中，AO3162-VB可以作为开关器件，实现高效率的电能转换和稳定的输出电压。
由于其适中的导通电阻和高漏源极电压能力，AO3162-VB在低功率电子设备和电源管理系统中具有广泛的应用潜力，能够提供可靠的性能和长期稳定性。
