AP09N90W-VB一种TO3P封装Single-N-Channel场效应管
2024-12-10
### 产品简介
AP09N90W-VB 是一款高压单 N-沟道 MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装形式为TO3P。它具有极高的击穿电压和适中的导通电阻，适合于需要承受高电压和大电流的应用场合。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO3P
- **配置**：单 N-沟道
- **击穿电压 (VDS)**：900V
- **栅极电压 (VGS)**：±30V
- **阈值电压 (Vth)**：3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：750mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**：9A
- **技术**：SJ_Multi-EPI
### 应用领域及模块示例
AP09N90W-VB MOSFET 可以在多种高压应用中发挥作用，以下是几个具体的应用示例：
1. **电源转换器**：
- 在电网和太阳能逆变器中，AP09N90W-VB 可以用于高压转换和电能转换管理，支持高效率的能量转换和稳定的电源输出。
2. **工业高压电源**：
- 用于工业设备的高压电源单元和电力管理系统，确保设备在高电压环境下的稳定运行和长期可靠性。
3. **医疗设备**：
- 在医疗设备中的高压电源和电动机控制中，AP09N90W-VB 可以提供安全和可靠的电流管理，确保设备的高效运行和性能。
4. **电动车充电器**：
- 适用于电动车充电设备中的功率开关和电池管理单元，支持高压和高电流条件下的安全充电。
5. **高压开关电源**：
- 在高压开关电源和电源逆变器中，AP09N90W-VB 可以提供高效的电源开关和稳定的电压调节，适用于工业自动化和电力设备。
总之，AP09N90W-VB 是一款适用于高压高电流环境的 MOSFET，特别适合需要承受高电压和大电流负载的各种电子系统和设备。
