公司动态详情返回动态列表>
B200NF04-VB TO263一种Single-N沟道TO263封装MOS管
2025-01-06
### 产品简介
**B200NF04-VB** 是一款采用 TO263 封装的单级 N 沟道 MOSFET。该器件使用沟槽工艺，具有非常低的导通电阻和高电流承载能力，适合用于高功率和高效率的电子应用。
### 参数说明
- **封装**：TO263
- **配置**：单级 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：40V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 5mΩ @ VGS = 10V
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏电流 (ID)**：100A
- **技术**：沟槽工艺
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理**：B200NF04-VB 的低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电源管理系统中的开关，能够显著提高电源转换效率和系统稳定性。
2. **DC-DC 转换器**：在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 的高电流处理能力和低导通电阻使其成为理想的开关组件，有助于提高转换效率并减少功耗。
3. **电动汽车**：适用于电动汽车的电池管理和电机控制系统，处理高电流负载，提高系统的性能和可靠性。
4. **工业开关**：在工业应用中，B200NF04-VB 可用于高功率开关，适合用于需要高电流和低功耗的控制电路，提升系统的整体效率和耐用性。
