AON6932-VB一种Half-Bridge-N+N沟道DFN8(5X6)-C封装MOS管
2024-12-06
### 一、AON6932-VB 产品简介
AON6932-VB是一款半桥N+N沟道MOSFET，采用DFN8(5X6)-C封装，专为高效能功率开关和电源管理应用而设计。它具有低导通电阻、高电流承载能力和优异的温度特性，适合要求高功率密度和可靠性的电子系统和设备。
### 二、AON6932-VB 详细参数说明
- **封装类型**: DFN8(5X6)-C
- **配置**: 半桥N+N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4mΩ @ VGS = 4.5V
- 3.4mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 60A
- **技术类型**: Trench
### 三、AON6932-VB 适用领域和模块
1. **电源逆变器和开关电源**:
- AON6932-VB适用于电源逆变器和开关电源中的功率开关应用。其低导通电阻和高电流承载能力使其在高频开关电路中能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电动车辆和电机驱动**:
- 在电动车辆和电机驱动系统中，AON6932-VB可用于电池管理单元和电机控制器。其高电流承载能力和低导通电阻保证了电动车辆在动力输出和能效方面的优异表现。
3. **工业自动化和机器人技术**:
- 在工业自动化和机器人技术领域，AON6932-VB可用于高性能电机控制和功率逆变器。它能够提供稳定的电流控制和高效的功率管理，确保设备在复杂的工业环境下可靠运行。
4. **服务器和数据中心设备**:
- 在高性能计算设备如服务器和数据中心中，AON6932-VB用于电源管理单元和高效能电源逆变器，帮助优化能源利用率和降低系统的功耗。
AON6932-VB以其出色的电气特性和广泛的应用适用性，是现代功率电子设计中的重要组成部分，能够在多个领域中提供可靠的功率开关解决方案。
