AM4922N-T1-PF-VB一种Dual-N+N沟道SOP8封装MOS管
2024-11-29
### AM4922N-T1-PF-VB 产品简介
AM4922N-T1-PF-VB 是一款双 N+N 通道 MOSFET，采用 SOP8 封装，利用先进的沟槽技术。它具有低导通电阻（RDS(ON)）和高漏极电流能力，适用于需要高效能力和可靠性的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **型号：** AM4922N-T1-PF-VB
- **封装类型：** SOP8
- **配置：** 双 N+N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)：** 20V
- **最大栅源电压 (VGS)：** ±12V
- **阈值电压 (Vth)：** 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))：**
- 26mΩ @ VGS=4.5V
- 19mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)：** 7.1A
- **技术：** 沟槽型（Trench）
### 应用领域和模块
AM4922N-T1-PF-VB 可广泛应用于多个领域和模块，包括但不限于：
1. **电源管理：** 在笔记本电脑、平板电脑和服务器电源管理中，AM4922N-T1-PF-VB 提供高效的 DC-DC 转换和稳定的功率输出，通过其低导通电阻和高电流能力实现高效能力的电源管理。
2. **电池管理：** 在便携式电子设备和电动工具中，该 MOSFET 用于电池管理系统，帮助提高电池充放电效率，并确保系统的长时间稳定运行。
3. **电动汽车和工业应用：** AM4922N-T1-PF-VB 能够控制电动汽车的电机驱动系统和工业自动化设备中的电机控制，其高漏极电流和低导通电阻保证了系统的高效运行和长期可靠性。
4. **消费电子产品：** 在智能手机、平板电脑和家用电器中，该 MOSFET 能够提供快速响应和高效能力的负载开关功能，确保设备的稳定性和长寿命。
通过这些示例，可以看出 AM4922N-T1-PF-VB 在多个高性能电子系统中的重要作用，其优秀的电气特性和先进的沟槽技术使其成为现代电子设备设计中不可或缺的部分。
