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AO5803E-VB一种Dual-P+P沟道SC75-6封装MOS管
2024-12-03
### 一、AO5803E-VB 产品简介
AO5803E-VB 是一款双P+P沟道MOSFET，采用SC75-6封装。该器件特别设计用于低功耗应用，具有低漏电流和良好的导通特性。适用于需要高效能量转换和紧凑设计的电子系统。
### 二、AO5803E-VB 详细参数说明
1. **封装类型**：SC75-6
2. **配置**：双P+P沟道
3. **漏源电压 (VDS)**：-20V
4. **栅源电压 (VGS)**：±12V
5. **阈值电压 (Vth)**：-0.6V
6. **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 500mΩ @ VGS=2.5V
- 450mΩ @ VGS=4.5V
7. **漏极电流 (ID)**：-0.5A (负数表示漏极电流方向为反向)
### 三、AO5803E-VB 适用领域和模块举例
AO5803E-VB 主要适用于以下领域和模块：
1. **电池管理**：在便携式设备和电池供电系统中，AO5803E-VB 可以用作电池保护和管理模块，帮助实现低功耗的电能管理和充放电控制。
2. **低功耗电子设备**：在需要长时间待机和低功耗运行的电子产品中，如智能手表、传感器节点等，该器件可以提供有效的电源开关和控制功能。
3. **小型移动设备**：适用于智能手机、平板电脑等小型移动设备中的电源管理和开关电路，帮助优化设备的电池寿命和能效。
4. **消费电子**：在各类消费电子产品的充电管理、电源切换和保护电路中，AO5803E-VB 可以起到稳定和保护电路的作用，提升产品的稳定性和可靠性。
通过其特有的双P+P沟道设计和优秀的电气特性，AO5803E-VB 是设计低功耗、高效能管理电子系统的理想选择。
