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BSS138-7-F-VB一种Single-N沟道SOT23-3封装MOS管
2025-01-09
**产品简介：**
BSS138-7-F-VB 是一款 N-Channel MOSFET，封装为 SOT23-3，适用于中等电压的小型开关应用。该 MOSFET 的 VDS（漏极-源极最大电压）为 60V，最大栅源极电压 VGS 为 ±20V，漏极电流 ID 达到 0.3A。其导通电阻 RDS(ON) 为 3100mΩ（在 VGS=4.5V 时）和 2800mΩ（在 VGS=10V 时），采用沟槽型工艺技术，适合用于低功耗、小型开关电路。
**详细参数说明：**
- **封装**: SOT23-3
- **类型**: 单极性 N-Channel MOSFET
- **漏源极电压（VDS）**: 60V
- **栅源极电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 3100mΩ @ VGS = 4.5V；2800mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**: 0.3A
- **技术**: 沟槽型工艺
**应用领域和模块示例：**
1. **小型电源开关**：在低功耗和小型电源管理应用中，BSS138-7-F-VB 能够用于高效的电源开关，适合于空间受限的设计，如便携式电子设备和小型电源模块。
2. **信号开关**：在低电流信号开关和控制电路中，该 MOSFET 可作为信号开关，适用于小型电子电路中的开关控制。
3. **过压保护**：在需要中等电压保护的应用中，BSS138-7-F-VB 可以用作过压保护装置，确保电子设备在过压条件下的安全性。
