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BSH301-VB一种Common Drain-N+N沟道TSSOP8封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BSH301-VB是一款高性能共源极配置N沟道MOSFET，封装形式为TSSOP8。该MOSFET支持20V的漏极-源极耐压和20V的栅极-源极耐压，具备0.5~1.5V的门槛电压。采用Trench技术，具有低导通电阻，适用于各种开关和电源管理应用。
### 参数说明
- **型号**: BSH301-VB
- **封装**: TSSOP8
- **配置**: 共源极N+N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 20V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 0.5~1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 2.5V栅极驱动下: 32mΩ
- 4.5V栅极驱动下: 22mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 6.6A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BSH301-VB适用于以下领域和模块：
1. **电源开关**: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，适合用于高效电源开关和电源管理系统。
2. **开关电源**: 用于开关电源设计中，作为高效开关元件，确保低功率损耗和高效率。
3. **电动汽车**: 在电动汽车中用于电池管理系统和电机驱动电路，提供稳定的开关控制。
4. **功率放大器**: 在功率放大器电路中，作为开关或驱动元件，提高系统的整体性能和效率。
该MOSFET的低导通电阻和良好的电流处理能力使其在要求高效、稳定开关的应用中表现突出。
