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NTGD3148NT1G-VB一款2个N沟道SOT23-6封装MOSFET应用分析
2024-01-05
NTGD3148NT1G MOSFET Datasheet.pdf
VBsemi推出了NTGD3148NT1G型号的MOS管，其丝印型号为VB3222。该产品为双N沟道晶体管，具备出色的性能参数。最大工作电压为20V，最大工作电流为4.8A。导通状态下的导通电阻（RDS(ON)）分别为22mΩ @ 4.5V和28mΩ @ 2.5V。此外，该产品支持12Vgs（±V）的驱动电压范围，其阈值电压范围为1.2~2.2V。
NTGD3148NT1G MOS管采用紧凑的SOT23-6封装，为各种电路设计提供了高度的灵活性和集成性。在多个领域都具有广泛的应用。在电源管理、开关电源和功率放大等领域，NTGD3148NT1G MOS管可以发挥其优越的电性能，实现高效能源转换。在电池管理系统中，该产品可用于电池充放电管理、保护及控制。此外，在电子设备中，它还可以用于信号放大和开关控制等功能，提供可靠的性能和稳定性。
总之，NTGD3148NT1G MOS管是VBsemi为满足不同领域需求而推出的高品质产品。其在电源管理、电池管理、信号放大和开关控制等领域的应用，为各种模块的设计提供了高效可靠的解决方案。
