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BS107P-VB一种Single-N沟道TO92封装MOS管
2025-01-08
### 产品简介
BS107P-VB是一款单管N沟道MOSFET，封装形式为TO-92。它具有200V的漏极-源极耐压，20V的栅极-源极耐压，以及0.5V的门槛电压。该器件采用Trench技术，具有低的导通电阻，适用于各种开关和放大应用。
### 参数说明
- **型号**: BS107P-VB
- **封装**: TO-92
- **配置**: 单管N沟道
- **漏极-源极耐压 (VDS)**: 200V
- **栅极-源极耐压 (VGS)**: ±20V
- **门槛电压 (Vth)**: 0.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V栅极驱动下: 1200mΩ
- 10V栅极驱动下: 1000mΩ
- **漏极电流 (ID)**: 0.6A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
BS107P-VB适用于以下领域和模块：
1. **开关电源**: 由于其低导通电阻和高耐压特性，适用于电源开关和电流管理。
2. **电机驱动**: 在电机驱动电路中作为开关或驱动元件，以提高系统效率。
3. **放大器电路**: 用于信号放大应用，特别是在需要高电压和低导通电阻的场合。
4. **自动化设备**: 在各种自动化控制系统中，用于高效开关控制和信号处理。
这种MOSFET的低导通电阻和高耐压特性使其在要求高效率和高可靠性的应用中表现优异。
